GB 29447 硅多晶和锗单位产品能源消耗限额-报批稿
3.0
2026-08-12
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侵权投诉
ICS 27.010
CCS F 01
中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准
GB 29447—XXXX
代替 GB 29447-2022
硅多晶和锗单位产品能源消耗限额
Norm of energy consumption per unit products of polysilicon and germanium
（报批稿）
XXXX- XX- XX 发布
XXXX- XX- XX 实施
GB 29447—XXXX
1
前 言
本文件按照GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替GB 29447—2022《多晶硅和锗单位产品能源消耗限额》，与GB 29447—2022相比，除
结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a) 更改了范围（见第 1章，2022 年版的第 1章）；
b) 增加了规范性引用文件 GB 17167（见第 3 章）；
c) 增加了三氯氢硅法和硅烷流化床法的术语和定义（见 3.1、3.2）；
d) 更改了能耗限额等级值 （见 4.1、4.2，2022 年版的 4.1、4.2）；
e) 更改了硅多晶的能耗统计范围（见 6.1.1.1，2022 年版的 6.1.1.1）；
f) 增加了硅多晶主要生产工序能源消耗统计范围（见 6.1.1.4）；
g) 更改了产品产量内容（见 6.2，2022 年版的 6.2.1）；
h) 更 改 了 外 购 的 原 辅 材 料 及 中 间 产 品 对 应 的 单 位 产 品 能 耗 基 准 （ 见 6.3.3 ，2022 年 版 的
6.2.4）。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由国家标准化管理委员会提出并归口。
本文件于2012年首次发布，2022年第一次修订时并了GB 29413—2012《锗单位产品能源消耗限
额》的内容，本次为第二次修订。
GB 29447—XXXX
2
硅多晶和锗单位产品能源消耗限额
1 范围
本文件规定了硅多晶和锗单位产品能源消耗（以下简称“能耗”）限额等级、技术要求、统计范
围和计算方法。
本文件适用于以三氯氢硅法或硅烷流化床法生产光伏用硅多晶（以下简称“硅多晶”）的企业，
以锗精矿、再生锗原料为原料生产高纯四氯化锗、高纯二氧化锗、区熔锗锭、锗单晶的企业进行能耗
的计算、考核，以及对新建、改建和扩建项目的能耗控制。
本文件不适用于生产半导体用电子级硅多晶、区熔级硅多晶的企业的能耗控制。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文
件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适
用于本文件。
GB/T 2589 综合能耗计算通则
GB/T 5238 锗单晶和锗单晶片
GB/T 11069 高纯二氧化锗
GB/T 11071 区熔锗锭
GB/T 12723 单位产品能源消耗限额编制通则
GB/T 14264 半导体材料术语
GB 17167 用能单位能源计量器具配备和管理通则
GB/T 25074 太阳能级硅多晶
GB/T 35307 流化床法颗粒硅
YS/T 13 高纯四氯化锗
3 术语和定义
GB/T 2589、GB/T 12723、GB/T 14264和GB 17167界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
三氯氢硅法 trichlorosilane hydrogen process
一种生产硅多晶的工艺，将高纯三氯氢硅与高纯氢气按比例通入还原炉，三氯氢硅在硅芯表面发
生还原或热分解反应，气相沉积生成棒状硅多晶。
3.2
硅烷流化床法 silane fluidized bed process
GB 29447—XXXX
3
一种生产硅多晶的工艺，将高纯硅烷与高纯氢气按比例通入流化床反应器，硅烷在硅籽晶表面发
生分解反应，气相沉积生成颗粒硅多晶。
4 能耗限额等级
4.1 硅多晶
硅多晶单位产品能耗限额等级见表 1，其中 1级能耗最低。
表 1 硅多晶单位产品能耗限额等级
产品
单位产品综合能耗
kgce/kg
1级
2级
3级
硅多晶（三氯氢硅法）
≤5.0
≤5.5
≤6.3
硅多晶（硅烷流化床法）
≤3.6
≤4.0
≤4.6
4.2 锗
锗单位产品能耗限额等级见表2，其中1级能耗最低。
表 2 锗单位产品能耗限额等级
产品
单位产品综合能耗
kgce/kg
1 级
2 级
3 级
高纯四氯化锗
≤5.2
≤5.5
≤9.3
高纯二氧化锗
≤0.9
≤1.1
≤1.7
区熔锗锭
≤7.8
≤9.5
≤18.9
锗单晶
≤6.0
≤6.5
≤10.0
注 1：锗单位产品能耗限额均以该产品折算成对应的锗金属量进行计算。
注 2：高纯四氯化锗以锗精矿、再生锗原料经氯化蒸馏、精馏工序生产，高纯二氧化锗以高纯四氯化锗为原料经
水解、烘干、焙烧工序生产，区熔锗锭以高纯二氧化锗为原料经氢气还原、区熔提纯工艺生产，锗单晶
以区熔锗锭为原料经直拉法单晶生长工艺生产。
5 技术要求
5.1 硅多晶及锗单位产品能耗限定值
5.1.1 现有硅多晶生产企业的硅多晶单位产品综合能耗限定值应符合表1中3级的规定。
5.1.2 现有锗生产企业的锗单位产品综合能耗限定值应符合表2中3级的规定。
5.2 硅多晶及锗单位产品能耗准入值
5.2.1 新建或改扩建硅多晶生产企业的硅多晶单位产品综合能耗准入值应符合表1中2级的规定。
5.2.2 新建或改扩建锗生产企业的锗单位产品综合能耗准入值应符合表2中2级的规定。
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