GB XXXX《硅单晶单位产品能源消耗限额》-报批稿
3.0
2026-08-12
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7 页
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ICS 27.010
CCS F 01
Ⅰ
中华人民共和国国家标准
GB XXXX—20XX
硅单晶单位产品能源消耗限额
Norm of energy consumption per unit products of monocrystalline silicon
（报批稿）
20××-××-××发布
20××-××-××实施
GB XXXXX—20XX
II
前 言
本文件按照 GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第 1 部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由国家标准化管理委员会提出并归口。
GB XXXXX—20XX
1
硅单晶单位产品能源消耗限额
1 范围
本文件规定了太阳能电池用硅单晶及硅单晶片单位产品能源消耗（以下简称“能耗”）
限额等级、技术要求、统计范围、折标系数和计算方法。
本文件适用于以直拉法制造太阳能电池用硅单晶（方棒）及硅单晶片的企业进行能耗的
计算、考核，以及对新（改、扩）建项目的能耗控制。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成文件必不可少的条款。其中，注日期的
引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所
有的修改单）适用于本文件。
GB/T 2589 综合能耗计算通则
GB/T 12723 单位产品能源消耗限额编制通则
GB/T 14264 半导体材料术语
GB 17167 用能单位能源计量器具配备和管理通则
GB/T 26071 太阳能电池用硅单晶及硅单晶片
3 术语和定义
GB/T 2589、GB/T 12723 和GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件。
4 能耗限额等级
4.1 硅单晶单位产品综合能耗限额等级见表 1，其中 1级能耗最低。
表1硅单晶单位产品综合能耗限额等级
单位产品综合能耗
kgce/kg
1 级
2 级
3 级
≤1.90
≤2.16
≤2.58
4.2 硅单晶片单位产品可比综合能耗限额等级见表 2，其中 1级能耗最低。
表2硅单晶片单位产品可比综合能耗限额等级
单位产品可比综合能耗
kgce/百万片
1 级
2 级
3 级
≤5900
≤7005
≤9525
5 技术要求
GB XXXXX—20XX
2
5.1 硅单晶及硅单晶片单位产品能耗限定值
5.1.1 现有硅单晶生产企业的硅单晶单位产品综合能耗限定值应符合表 1中3级的规定。
5.1.2 现有硅单晶片生产企业的硅单晶片单位产品可比综合能耗限定值应符合表 2中3级的
规定。
5.2 硅单晶及硅单晶片单位产品能耗准入值
5.2.1 新建或改、扩建硅单晶生产企业的硅单晶单位产品综合能耗准入值应符合表 1中2级
的规定。
5.2.2 新建或改、扩建硅单晶片生产企业的硅单晶片单位产品可比综合能耗准入值应符合表
2中2级的规定。
6 能耗统计范围、折标系数和计算方法
6.1 硅单晶单位产品综合能耗统计范围
6.1.1 硅单晶单位产品能耗统计范围包括主要生产系统、辅助生产系统和附属生产系统消耗
的综合能耗。
6.1.2 主要生产系统能耗包括：从原料（硅多晶）入库开始，经过洗料、拉晶、切方、包装，
到产出合格硅单晶（方棒）为止的生产工艺过程消耗的能耗。
6.1.3 辅助生产系统能耗包括：为主要生产系统服务的供电、供水、空调、空压机、排风、
输送、仓储、氩气回收系统等装置和设施消耗的能耗。若外购压缩空气，应利用折标准煤系
数计算其能耗。
6.1.4 附属生产系统能耗包括：为主要生产系统配置的生产指挥系统和为生产、技术服务的
职能部门和单位（包括各类办公室、操作室、更衣室、食堂、休息室、员工宿舍等）消耗的
能耗。
6.2 硅单晶片单位产品可比综合能耗统计范围
6.2.1 硅单晶片单位产品可比综合能耗统计范围包括主要生产系统、辅助生产系统和附属生
产系统消耗的综合能耗。
6.2.2 主要生产系统能耗包括：从原料（硅单晶方棒）入库开始，经过粘棒、线切、清洗、
检验、分选、包装，到产出合格硅单晶片为止的生产工艺过程消耗的能耗。
6.2.3 辅助生产系统能耗包括：为主要生产系统服务的供电、供水、空调、空压机、排风、
输送、仓储、水处理系统等装置和设施消耗的能耗。若外购压缩空气，应利用折标准煤系数
计算其能耗。
6.2.4 附属生产系统能耗包括：为主要生产系统配置的生产指挥系统和为生产、技术服务的
职能部门和单位（包括各类办公室、操作室、更衣室、食堂、休息室、员工宿舍等）消耗的
能耗。
6.3 产品产量折标系数
6.3.1 整片硅片产品产量折标
整片硅片产品的合格产品可比产量为实际产量乘以折标系数，折标系数见表 3。整片硅
片合格产品应符合 GB/T 26071 的要求。
GB XXXXX—20XX
3
表3整片硅片产品产量折标系数
产品
折标系数
边长 A/mm
边长 B/mm
210.00±0.25
182.00±0.25
1.00
183.75±0.25
182.20±0.25
0.88
192.00±0.25
182.20±0.25
0.92
199.00±0.25
182.30±0.25
0.95
210.00±0.25
210.00±0.25
1.15
注：整片硅片标片以 182 mm×210 mm 为基准计算，未列举规格整片硅片可比产量在实物量基础上乘
以相应折标系数。相应折标系数为该整片硅片规格（边长 A×边长 B）÷整片硅片标片规格（182
mm×210 mm）。
6.3.2 半片硅片产品产量折标
半片硅片产品的合格产品可比产量为实际产量乘以折标系数，折标系数见表 4。半片硅
片合格产品应符合 GB/T 26071 的要求。
表4半片硅片产品产量折标系数
产品
折标系数
边长 A/mm
边长 B/mm
105.00±0.25
182.00±0.25
1.00
96.00±0.25
182.20±0.25
0.92
99.50±0.25
182.30±0.25
0.95
105.00±0.25
210.00±0.25
1.15
注：半片硅片标片以 182 mm×105 mm 为基准计算，未列举规格半片硅片可比产量在实物量基础上乘
以相应折标系数。相应折标系数为该半片硅片规格（边长 A×边长 B）÷半片硅片标片规格（182
mm×105 mm）。
6.3.3 半片硅片产品二次折标
使用硅单晶方棒所制造的半片硅片按 6.3.2 计算半片硅片产品产量后，应乘以 0.65 进
行二次折标。
使用边皮料所制造的半片硅片按 6.3.2 计算半片硅片产品产量后，应乘以 1.00 进行二
次折标。
6.4 计算方法
6.4.1 各种能源应按照 GB/T 2589 以低位发热量折算为标准煤。各种能源的发热量以企业在
报告期内的实测值为准；没有实测条件的，以各种能源折标准煤参考系数（见附录 A）进行
折算。
6.4.2 采用能源计量器具对统计期内的能耗数量进行计量、统计，不应重计和漏记，能源计
量器具应符合 GB 17167 中的相关规定。
6.4.3 产品产量以统计报告期内企业生产的合格产品的总产量计，硅单晶单位为千克（kg），
硅单晶片单位为百万片。硅单晶及硅单晶片合格产品应符合 GB/T 26071 的规定。
6.4.4 硅单晶的综合能耗按公式（1）计算：
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